焊接變壓器
焊接電路時(shí)三腳變壓器接地引腳怎么焊
地其 實(shí)是線路的公共回路。不一 定是零 電位，或負(fù)電 位，而或和交流電的地線等電位的。也可以是正電位的，，對(duì)于交流來(lái)說(shuō)，正級(jí)和負(fù)極是短路的，正極和負(fù)極都是地，不過(guò)人門在設(shè)計(jì)電路時(shí)總是圍繞一個(gè)級(jí)展開(kāi)敷設(shè)元件，最后把電流引向一個(gè)公共端，這個(gè)公共端在電路上故意大面積存在，把有可能干擾的地方割開(kāi)，（吸收干擾）就是地。假如你按負(fù)極設(shè)計(jì)電路，用正極當(dāng)?shù)匾部梢浴?br /> 集成電路的檢測(cè)（（晶圓檢測(cè)）、chip test（芯片檢測(cè)）和package test（封裝檢測(cè)）。
wafer test是在晶圓從晶圓廠生產(chǎn)出來(lái)后，切割減薄之前的檢測(cè)。其設(shè)備通常是測(cè)試廠商自行開(kāi)發(fā)制造或定制的，一般是將晶圓放在測(cè)試平臺(tái)上，用探針探到芯片中事先確定的檢測(cè)點(diǎn)，探針上可以通過(guò)直流電流和交流信號(hào)，可以對(duì)其進(jìn)行各種電氣參數(shù)檢測(cè)。
對(duì)于光學(xué)IC，還需要對(duì)其進(jìn)行給定光照條件下的電氣性能檢測(cè)。
wefer test主要設(shè)備：探針平臺(tái)。
wefer test輔助設(shè)備：無(wú)塵室及其全套設(shè)備。
wefer test是效率測(cè)試，因?yàn)橐粋€(gè)晶圓上常常有幾百個(gè)到幾千個(gè)甚至上萬(wàn)個(gè)芯片，而這所有芯片可以在測(cè)試平臺(tái)上一次性檢測(cè)。
chip test是在晶圓經(jīng)過(guò)切割、減薄工序，成為一片片獨(dú)立的chip之后的檢測(cè)。其設(shè)備通常是測(cè)試廠商自行開(kāi)發(fā)制造或定制的，一般是將晶圓放在測(cè)試平臺(tái)上，用探針探到芯片中事先確定的檢測(cè)點(diǎn)，探針上可以通過(guò)直流電流和交流信號(hào)，可以對(duì)其進(jìn)行各種電氣參數(shù)檢測(cè)。chip test和wafer test設(shè)備主要的區(qū)別是因?yàn)楸粶y(cè)目標(biāo)形狀大小不同因而夾具不同。
對(duì)于光學(xué)IC，還需要對(duì)其進(jìn)行給定光照條件下的電氣性能檢測(cè)。
chip test主要設(shè)備：探針平臺(tái)（包括夾持不同規(guī)格chip的夾具）
chip test輔助設(shè)備：無(wú)塵室及其全套設(shè)備。
chip test能檢測(cè)的范圍和wafer test是差不多的，由于已經(jīng)經(jīng)過(guò)了切割、減薄工序，還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來(lái)。但chip test效率比wafer test要低不少。
package test是在芯片封裝成成品之后進(jìn)行的檢測(cè)。由于芯片已經(jīng)封裝，所以不再需要無(wú)塵室環(huán)境，測(cè)試要求的條件大大降低。
一般package test的設(shè)備也是各個(gè)廠商自己開(kāi)發(fā)或定制的，通常包含測(cè)試各種電子或光學(xué)參數(shù)的傳感器，但通常不使用探針探入芯片內(nèi)部（多數(shù)芯片封裝后也無(wú)法探入），而是直接從管腳連線進(jìn)行測(cè)試。
由于package test無(wú)法使用探針測(cè)試芯片內(nèi)部，因此其測(cè)試范圍受到限制，有很多指標(biāo)無(wú)法在這一環(huán)節(jié)進(jìn)行測(cè)試。但package test是產(chǎn)品的檢測(cè)，因此其檢測(cè)合格即為合格產(chǎn)品。
IC的測(cè)試是一個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的系統(tǒng)工程，無(wú)法簡(jiǎn)單地告訴你怎樣判定是合格還是不合格。
一般說(shuō)來(lái)，是根據(jù)設(shè)計(jì)要求進(jìn)行測(cè)試，不符合設(shè)計(jì)要求的就是不合格。而設(shè)計(jì)要求，因產(chǎn)品不同而各不相同，有的IC需要檢測(cè)大量的參數(shù)，有的則只需要檢測(cè)很少的參數(shù)。
事實(shí)上，一個(gè)具體的IC，并不一定要經(jīng)歷上面提到的全部測(cè)試，而經(jīng)歷多道測(cè)試工序的IC，具體在哪個(gè)工序測(cè)試哪些參數(shù)，也是有很多種變化的，這是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)工程。
例如對(duì)于芯片面積大、良率高、封裝成本低的芯片，通?？梢圆贿M(jìn)行wafer test，而芯片面積小、良率低、封裝成本高的芯片，將很多測(cè)試放在wafer test環(huán)節(jié)，及早發(fā)現(xiàn)不良品，避免不良品混入封裝環(huán)節(jié)，無(wú)謂地增加封裝成本。
IC檢測(cè)的設(shè)備，由于IC的生產(chǎn)量通常非常巨大，因此向萬(wàn)用表、示波器一類手工測(cè)試一起一定是不能勝任的，目前的測(cè)試設(shè)備通常都是全自動(dòng)化、多功能組合測(cè)量裝置，并由程序控制，你基本上可以認(rèn)為這些測(cè)試設(shè)備就是一臺(tái)測(cè)量專用工業(yè)機(jī)器人。
IC的測(cè)試是IC生產(chǎn)流程中一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，在目前大多數(shù)的IC中，測(cè)試環(huán)節(jié)所占成本常常要占到總成本的1/4到一半。